三菱電機、「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」のサンプル提供を開始へ

三菱電機は5月8日、鉄道車両・直流送電などの大型産業機器向け大容量SiC(炭化ケイ素)パワー半導体モジュールの新製品として、耐電圧3.3kV・絶縁体電圧6.0kVrmsの高電流密度dualタイプにSBD(ショットキーバリアダイオード)内蔵MOSFETを採用した「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」のサンプル提供を、5月31日より開始すると発表した。

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